孙辉老师于2013年12月在材料类国际知名期刊《Physica Status Solidi (A)》（IF=1.616）杂志上发表题为《Electrical characteristics of lead iodide crystal devices on flexible substrate under mechanical tensile strain》的学术论文。

该论文首次报道了PbI2晶体在弯曲应力作用下的电学和光学性质。鉴于PbI2质地较软，采用机械剥离法制备了厚度为150μm的PbI2单晶片，并组装到PET柔性衬底上形成柔性探测器。研究结果表明：PbI2晶片可承受约2.5%拉伸应力，并保持晶体本征电学性质；在1.04%、1.88%应力作用下，发现能带发生73meV、98meV展宽。该论文结果为研究基于PbI2的柔性室温核辐射探测器件提供了一定的依据。

Photograph of a highly curved device with PbI₂ crystal slice assembled on a 0.15-mm thick PET substrate.